磁控濺射鍍膜機用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。

　　電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。

　　在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射，是制備低維度，小尺寸納米材料器件的*實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體等領域。

　　磁控濺射鍍膜機特點：

　　1、支持向上或向下的鍍膜方式；

　　2、先進的濺射靶材結構設計，實現膜厚分部的穩定可靠；

　　3、高速旋轉的傘具與實際鍍膜工件的監控位置，實現了所見即所得；

　　4、多通道透射式監控，配合可調節膜厚修正板，實現了膜厚分布的反饋控制；

　　5、支持任意膜厚的控制；

　　6、通用的控制平臺，友好的人機界面，使客戶可以自行設置鍍膜機的所有控制參數；

　　7、開放式接口，方便安裝第三方的光學膜厚儀；

　　8、氣流和氣壓同時實時控制，適用出氣量大的低溫鍍膜。

　　它優于直流磁控濺射鍍膜的特點是克服了陽極消失現象；減弱或消除靶的異常弧光放電。因此，提高了濺射過程的工藝穩定性，同時，提高了介質膜的沉積速率數倍，該類設備廣泛應用于表殼、表帶、手機殼、五金、餐具等鍍TiN、TiC、TICN、TiAIN、CrN等各種裝飾鍍層。