深能級瞬態譜儀是檢測半導體材料中深能級雜質和晶體缺陷有用的方法，可用于檢測太陽能電池材料中的各種雜質和缺陷，包括金屬雜質以及點缺陷和位錯的等各種缺陷類型，從而分析影響少子壽命的關鍵性雜質元素和缺陷。

　　深能級瞬態譜是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段，根據半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容技術和深能級瞬態譜的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態，通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量） 分布譜。

　　深能級瞬態譜儀集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命，該儀器測量界面態速度快，精度高，是生產和科研中可廣為應用的測試技術。

　　半導體技術的一個重要目標是減少構成所有半導體器件中，晶體、多晶和非晶層中固有的和由工藝引起的缺陷，雜質、晶界、晶面等引起的缺陷導致陷阱的產生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。深能級瞬態光譜是現在一種通用的技術，用于測定與陷阱相關的幾乎所有參數，包括密度、熱界面（熱發射率）、能級和空間剖面。

　　主要特點

　　1、快速而靈敏地檢測半導體中的電活性缺陷。

　　2、具有低至3微秒的快速響應時間。

　　3、具有對過載的快速恢復能力以及對泄露電流的高免疫能力。

　　4、快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度。

　　5、單次溫度掃描可同時記錄不同發射率窗下的8幅譜圖。

　　6、數字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時間跨度，和不限平均點數的平均瞬態。